英飞凌IRF3205STRLPBF功率MOS管TO263封装
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 110 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 最大漏源电阻值 | 8 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 3247 pF @ 25 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 146 nC | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 晶体管材料 | Si |
IRF3205STRLPBF
INFINEON（英飞凌）
TO263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
