供应50N06

50N06 MOSFET晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)
制造商零件编号: 50N06
种类: MOSFET
沟道类型: N
最大耗散功率 (Pd): 120
漏源电压 (Uds): 60
栅源电压 (Ugs): 20
最大漏极电流 (Id): 50
最大工作温度 (Tj), °C: 150
导通上升时间 (tr): 100
输出电容 (Cd), pF: 430
静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 0.018
封装形式: TO-220_TO-263_TO-251_TO-252_TO-220F

5N65 MOSFET晶体管. 目录. 参数. 数据表 (PDF)
制造商零件编号: 5N65
种类: MOSFET
沟道类型: N
最大耗散功率 (Pd): 100
漏源电压 (Uds): 650
栅源电压 (Ugs): 30
最大漏极电流 (Id): 5
最大工作温度 (Tj), °C: 150
导通上升时间 (tr): 42
输出电容 (Cd), pF: 55
静态的漏源极导通电阻 (Rds), Ohm: 2
封装形式: TO-220_TO-251_TO-252_TO-220F_TO-220F1