数据列表 STP110N8F6
标准包装 50 类别 分立半导体产品 家庭 FET - 单 系列 STripFET™ F6 包装 管件 FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压（Vdss） 80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 110A（Tc） 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 6.5 毫欧 @ 55A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 150nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 9130pF @ 40V 功率 - 最大值 200W 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220