*童大功率场效应管FQPF8N60C N通道MOS 场效应 MOS管

制造商: Fairchild Semiconductor 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
晶体管*性: N-Channel 
汲*/源*击穿电压: 600 V 
闸/源击穿电压:  /- 30 V 
漏*连续电流: 7.5 A 
Drain-Source On Resistance: 1.2 Ohms 
配置: Single 
*大工作温度:  150 C 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220F 
封装: Tube 
下降时间: 64.5 ns 
Forward Transconductance - Min: 8.7 S 
*小工作温度: - 55 C 
功率耗散: 48 W 
上升时间: 60.5 ns 
工厂包装数量: 50 
典型关闭延迟时间: 81 ns 
*件号别名: FQPF8N60C_NL