英飞凌代理商场效应管IPP023NE7N3G MOS管原装现货

地区:广东 深圳
认证:

深圳市品慧电子有限公司

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制造商: Infineon 
RoHS:  详细信息 
晶体管*性: N-Channel 
汲*/源*击穿电压: 75 V 
闸/源击穿电压:  /- 20 V 
漏*连续电流: 120 A 
漏源导通电阻: 2.3 mOhms 
配置: Single 
*大工作温度:  175 C 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: PG-TO-220-3 
封装: Tube 
*小工作温度: - 55 C 
功率耗散: 300 W 
系列: IPP023NE7 
工厂包装数量: 500 
商标名: OptiMOS 
*件号别名: IPP023NE7N3GXKSA1 SP
封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

型号/规格

IPP023NE7N3G

材料

HEMT高电子迁移率

用途

MOS-INM/*组件

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

P沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型