MOS场效应管 IRLML6302TRPBF IR2101PBF

图文详情
产品属性
相关推荐

标准包装 3,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 780mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 600 毫欧 @ 610mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 3.6nC @ 4.45V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 97pF @ 15V
功率 - *大值 540mW
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRLML6302TR

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大