MOS场效应管 IRFZ34NPBF IRF9Z24NPBF

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 55V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 29A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 40 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 700pF @ 25V
功率 - *大值 68W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
 
 
类型

其他IC

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFZ34NPBF

功率

11

用途

NF/音频(低频)

封装

TO220

批号

2013