6/5A贴片P/N沟道Mos管FW342-TL-E原装SANYO三洋场效应管现货SOP-8

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数据列表	FW342
产品相片	8-SOP
产品目录绘图	SOP8 Package - N, N/P & Dual-N Channel Top
标准包装	1,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 阵列
系列	-
包装	带卷 (TR)
FET 类型	N 和 P 沟道
FET 功能	逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss)	30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	6A，5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	33 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	-
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	850pF @ 10V
功率 - *大值	1.8W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装	8-SOP
产品目录页面	1537 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	869-1167-2

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品牌/商标

Sanyo/三洋

型号/规格

FW342-TL-E

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N+P

导电方式

耗尽型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

批号

1201+

封装

SOP-8