6.5A30V贴片N沟道Mos管 SI4800B DY-T1-E3原装Vishay场效应管SOP8

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数据列表	SI4800BDY
产品相片	8-SOIC
标准包装	2,500
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	TrenchFET®
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss)	30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	6.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	18.5 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	13nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	-
功率 - *大值	1.3W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装	8-SOIC N
包装	带卷 (TR)
产品目录页面	1662 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	SI4800BDY-T1-E3TR

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品牌/商标

Vishay/威世通

型号/规格

SI4800BDY-T1-E3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

批号

1249+

封装

SOP-8