6.5A30V贴片N沟道Mos管 SI4800B DY-T1-E3原装Vishay场效应管SOP8

地区:广东 深圳
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数据列表

SI4800BDY

产品相片

8-SOIC

标准包装

2,500

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

TrenchFET®

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

30V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

6.5A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

18.5 毫欧 @ 9A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

1.8V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

13nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

-

功率 - *大值

1.3W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC N

包装

带卷 (TR)

产品目录页面

1662 (CN2011-ZH PDF)

其它名称

SI4800BDY-T1-E3TR



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品牌/商标

Vishay/威世通

型号/规格

SI4800BDY-T1-E3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

批号

1249+

封装

SOP-8