NTJD1155LT1G

标准包装 3,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 -
包装带卷 (TR)
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能标准
漏源*电压 (Vdss) 8V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 1.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) -
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
功率 - *大值 400mW
安装类型表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 SOT-363

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

NTJD1155LT1G

材料

P-FET硅P沟道

用途

A/宽频带放大

品牌/商标

ON/安森美

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

耗尽型