31A直插N沟道MOS场效应管IRFB31N20原装IR现货TO-220

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数据列表	IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF
产品相片	TO-220-3, TO-220AB
产品培训模块	High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
设计资源	IRFB31N20DPBF Saber Model IRFB31N20DPBF Spice Model
标准包装	50
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能	标准
漏源*电压 (Vdss)	200V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	31A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	82 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	107nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	2370pF @ 25V
功率 - *大值	3.1W
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
产品目录页面	1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	*IRFB31N20DPBF

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB31N20

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MAP/匹配对管

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

功率

3.1w

批号

1219+

封装

TO-220