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MOS场效应管 IRFD9120PBF IRFR120N

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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标准包装 2,500
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装 管件
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 600 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 390pF @ 25V
功率 - *大值 1.3W
安装类型 通孔
封装/外壳 4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
 
 
类型

其他IC

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFD9120PBF

功率

11

用途

A/宽频带放大

封装

sot23

批号

2011