6A贴片2个N沟道MOS场效应管TPCS8208 (TE12L,Q,M)东芝*现货

地区:广东 深圳
认证:

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数据列表

TPCS8208
Mosfets Prod Guide

产品相片

8-TSSOP

标准包装

3,000

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 阵列

系列

-

FET 类型

2 个 N 沟道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

20V

电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时)

6A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值)

17 毫欧 @ 4.8A,4V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

1.2V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

22nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

2160pF @ 10V

功率 - *大值

600mW

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装

8-TSSOP

包装

带卷 (TR)



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品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

TPCS8208

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

批号

1127+

封装

TSSOP-8