场效应管 AO8801 AO8803 AO6605 AO4429

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产品属性
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标准包装 3,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 -
包装带卷 (TR)
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 4.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 42 毫欧 @ 4.5A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 11nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 905pF @ 10V
功率 - *大值 1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装 8-TSSOP

品牌/商标

型号/规格

AO8801/AO8803

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形