场效应MOS管 SI2315DS-T1 SI2314 SI2310

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标准包装 3,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 TrenchFET®
包装带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 12V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 50 毫欧 @ 3.85A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 15nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 715pF @ 6V
功率 - *大值 750mW
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

品牌/商标

Vishay/威世通

型号/规格

SI2315

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

AM/调幅