场效应管 AO4407

图文详情
产品属性
相关推荐

30V   P-Channel Enhancement-Mode MOSFET     30V P 沟道增强型 MOS 管

VDS= -30V
RDS(ON),Vgs@-10V,Ids@-10A= 14mΩ
RDS(ON),,Ids@-10A= 20mΩ

Features    特性
Advanced trench process technology         高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance     *低的导通电阻高密度的单元设计

*的电子元器件供应商

常备现货，物美价廉，量大从优！

公司坚持以“质量*、价格优惠”的经营理念向客户所提供*的优质服务，已*了广大客户的信赖和支持。

颜： :

本公司主营系列二*管，三端稳压IC,可控硅,MOS管，系列家电IC, 集成电器IC等

2300 2301 2302 2305 2306 2307 2312 3400 3401 3407

4953 9435 4410 4435 4407 9926 4501 4503 4606 4946

45N03 85N03 DW01 8205A 8205S TDA2005R TDA2009A STA540

TDA7266SA TDA7297SA TDA7297 TDA2003 TDA2030A TDA7377

KP1500-ADJ KP1504-ADJ KP1510-ADJ KP1512-ADJ

型号繁多，未能尽录。更多的产品欢迎来电垂询！

品牌/商标

AOS/美国万代

型号/规格

AO4407

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

P-FET硅P沟道

漏*电流

-10A

开启电压

-3

*间电容

供应场效应管 AO4407