MOS场效应管 IRFP250NPBF IRFP240PBF

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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标准包装 25
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 散装
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 30A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 75 毫欧 @ 18A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 123nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2159pF @ 25V
功率 - *大值 214W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247AC
 
 
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFP250NPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道