场效应管 FDS4953A G*953

增强型的P沟道MOSFET--FDS4953/FDS4953A

简介:

       FDS4953A是双路增强型的P沟道MOSFET。

       每个MOSFET连续电流可达5A. 耐压可达30V。据有低漏电流，低导通电阻等特点。典型导通内阻为50mR @ -10v。均为小型SOP8封装。AP4953两MOSFET为*单元，用户可灵活使用.

封装:SOP-8。

特征:

Ø       GS间电压：&plu*n;25V

Ø       GS间漏电流：<100nA

Ø       低导通电阻：-10v时典型50mR,  -4.5v时典型70mR

Ø       DS间耐压：典型35V

Ø       DS间漏电流：<1uA

Ø       控制启动电压：典型1.4v

Ø       DS连续电流：可达5A

Ø       内部二级管压降：<1.2V

应用:

Ø       DC-DC转换器

Ø       锂电池保护板

Ø       MP3,MP4,GPS

Ø       移动电源