100W直插IGBT管IR G*C30FD PBF原装IR*TO-220-3

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，*缘栅双*型晶体管，是由BJT(双*型三*管)和MOS(*缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻*和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。*适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

数据列表	IRG*C30FD1PbF
产品相片	TO-220-3, TO-220AB
产品培训模块	IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装	50
类别	分立半导体产品
家庭	IGBT - 单路
系列	-
包装	管件
IGBT 类型	-
电压 - 集射击穿（大值）	600V
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)	1.8V @ 15V，17A
电流 - 集电* (Ic)（*大值）	31A
Current - Collector Pulsed (Icm)	124A
功率 - *大值	100W
Switching Energy	1800µJ
输入类型	标准
Gate Charge	57nC
Td (on/off) A 25°C	22ns/250ns
Test Condition	480V, 17A, 23 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)	46ns
封装/外壳	TO-220-3
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
产品目录页面	1516 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	IRGC30FD1PBF

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应用范围

功率

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRG*C30FD

材料

硅(Si)

封装形式

TO-220-3

功率

100w

类型

IGBT(*缘栅双*型晶体管)

电压

600v