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20V Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V 双 N沟道增强型 MOS 管
VDS= 20V ID= 6.5A *D Protected : 2000V
RDS(ON),,= 32m?
RDS(ON),,= 24m?
Features 特性
Advanced trench process technology 高级的加工技术
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
Specially Designed for Li ion battery packs use
Designed for battery switch applications
Battery Swicth, *D protected
*低的导通电阻高密度的单元设计、专为锂电池设计、静电保护.
*的电子元器件供应商
原装正品,常备现货,量大从优!
公司坚持以“质量*、价格优惠”的经营理念向客户所提供*的优质服务,已*了广大客户的信赖和支持。
胡先生: :
本公司主营系列低压MOS管及IC
2300 2301 2302 2305 2306 2307 2312 3400 3401 3407
4953 9435 4410 4435 4407 9926 4501 4503 4606 4946
45N03 85N03 DW01 8205A 8205S
KP1500-ADJ KP1504-ADJ KP1510-ADJ KP1512-ADJ
型号繁多,未能尽录。更多的产品欢迎来电垂询!
公司网址:http://www.szkuoying.com
台产
6968
结型(JFET)
N沟道
增强型
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
标准
标准
标准