0.8W贴片P沟道MOS场效应管FDC602P原装Fairchild*现货

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数据列表	FDC602P
产品相片	PowerTrench Series
产品培训模块	High Voltage Switches for Power Processing
PCN Design/Specification	Mold Compound 08/April/2008
标准包装	3,000
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	PowerTrench®
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平栅*，2.5V 驱动
漏源*电压 (Vdss)	20V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）	5.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）	35 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)	20nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	1456pF @ 10V
功率 - *大值	800mW
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装	6-SSOT
产品目录页面	1602 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	FDC602P-ND

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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDC602P

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

硅(SI)

封装

SSOT-6