I/O 翻倍冲击 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈售价逾 600 美元

   据韩媒 the bell 当地时间昨日报道，HBM4 内存的 I/O 数量相较于此前产品实现了翻倍，达到 2048。这一变化对 SK 海力士和美光产生了显著影响，由于他们在 HBM4 DRAM 上沿用 1b 工艺，不得不扩大 DRAM Die 的面积。而面积的扩大直接导致单晶圆上可生产的 HBM DRAM Die 数量降低，这无疑会对他们的生产效率和成本控制带来挑战。

    与之不同的是，三星电子采取了不同的策略。其 HBM4 内存的 DRAM Die 工艺将从前代的 1a nm 直接升级两代到 1c nm。从理论上来说，这种工艺的升级预计会使单晶圆 DRAM Die 产量有所提升。然而，考虑到新工艺的复杂度更高，三星电子在生产 HBM4 内存时，实际成本也将相应增加。

     业界消息还预计，HBM4 内存早期规格为 12Hi 36GB 的产品，其市场售价将超过 600 美元（按现汇率约合 4311 元人民币）。这一价格相较于同容量的 HBM3E 内存形成了明显的溢价，这也反映出 HBM4 内存作为新一代产品，在技术和性能提升的同时，成本和价格也随之上升。