ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

时间:2025-06-04

  ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”,是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。

  RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET,预计该尺寸产品未来需求将不断增长,可以轻松替代现有产品。另外,新产品同时实现了更宽SOA范围*3(条件:VDS=48V、Pw=1ms/10ms)和更低导通电阻(RDS(on))*4,由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性,又能优化电源效率,降低功耗并减少发热量。
  为了兼顾服务器的稳定运行和节能,热插拔电路必须具有较宽的SOA范围,以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路,与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A,实现业界超优性能,能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。
  RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET,并且实现了更低导通电阻,从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ,而RY7P250BM的导通电阻则降低了约18%——仅有1.86mΩ(条件:VGS=10V、ID=50A、Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。
  与此同时,RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件,预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中,RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。
  新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个,不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂),后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过电商平台均可购买。
  未来,ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容,通过提供效率高且可靠性高的解决方案,为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。
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