Infineon-英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升

　　英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。

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　　英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer表示：“TSJ技术的推出显著扩展了我们的SiC技术能力。沟槽栅结构与超结技术的结合可以实现更高的效率和更紧凑的设计，这对于性能和可靠性要求极高的应用十分重要。”
　　英飞凌致力于通过SiC TSJ技术逐步扩展CoolSiC产品组合。此次扩展涵盖多种封装形式，包括分立器件、模塑和框架封装模块，以及裸晶圆。扩展后的产品组合能够满足汽车和工业领域的广泛应用需求。
　　首批基于这项新技术的产品是适用于汽车牵引逆变器的英飞凌ID-PAK封装1200 V功率器件。产品充分利用英飞凌在SiC及硅基超结技术（CoolMOS）领域25年多的经验，集沟槽栅技术与超结设计优势于一身。该可扩展封装平台支持最高800 kW功率，可实现高度灵活的系统配置。这项技术的主要优势之一是通过将R DS(on)*A降低多达40%以获得更高的功率密度，从而在相同功率等级下实现更紧凑的设计。此外，ID-PAK封装1200 V SiC TSJ功率器件可在不牺牲短路能力的前提下，将主逆变器电流承载能力提升多达25%。
　　这一技术进步还为要求严苛的汽车和工业应用带来了整体系统性能提升，包括更低的能耗和散热要求，以及更高的可靠性。此外，该系统还降低了并联要求，从而简化了设计流程并降低了整体系统成本。凭借这些创新优势，基于英飞凌ID-PAK封装的SiC TSJ功率器件将助力汽车应用领域设计出更高效、更具成本效益的牵引逆变器。
　　英飞凌科技汽车电子事业部总裁Peter Schiefer表示：“作为全球汽车半导体领域的领导者，英飞凌始终引领创新步伐，助力构建汽车技术进步与可持续交通出行之间的桥梁。我们的全新的基于沟槽栅结构的SiC超结技术能够提升效率和简化系统设计，为电动汽车动力传动系统带来更大的价值。”
　　现代汽车公司开发团队是英飞凌TSJ技术的首批客户之一，他们将充分利用这项技术的优势提升其电动汽车产品性能。该合作能够帮助现代汽车开发出更加高效、紧凑的电动汽车动力传动系统。
　　供货情况
　　首批ID-PAK封装1200 V功率器件样品现已向部分汽车动力传动系统客户开放。ID-PAK封装1200 V SiC TSJ功率器件预计将于2027年实现量产。