适用于高频功率应用的 IXD2012NTR 高压侧和低压侧栅极驱动器

　　Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）推出高压侧和低压侧栅极驱动器IXD2012NTR，设计用于驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT。该IXD2012NTR针对高频电源应用进行了优化，具有卓越的开关性能和更高的设计灵活性。

　　IXD2012NTR可在10V~20V的宽电压范围内工作，并在自举操作中支持高达200 V的高压侧开关，其逻辑输入与低至3.3 V的标准TTL和CMOS电平兼容，可确保与各种控制设备无缝集成。IXD2012NTR具有1.9 A拉电流和2.3 A灌电流输出能力，可提供强大的栅极驱动电流，是高速开关应用的理想选择。
　　该器件集成的交叉传导保护逻辑可防止高压侧和低压侧输出同时开启，同时通过高集成简化了电路设计。IXD2012NTR采用紧凑型SOIC(N)-8封装  ，工作温度范围在-40℃~+125℃，即使在恶劣工况条件下也能提供可靠的性能。
　　主要功能和特点
　　·        高速开关性能：驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT；
　　·        宽工作电压范围：10V~20V，适合各种电源管理应用；
　　·        高压侧开关能力：在自举配置下，最高工作电压可达200V；
　　·        兼容性和灵活性：逻辑输入兼容低至3.3V的TTL和CMOS电平，便于与控制器连接；
　　·        输出电流驱动能力：1.9A拉电流输出和2.3A灌电流输出，可提供稳定的栅极驱动电流。
　　·        提高效率和集成度：集成的交叉传导保护可降低功率损耗并简化设计；
　　·        行业标准引脚排列：确保现有设计的直接替换能力。