英飞凌凭借卓越性能与高可靠性的解决方案引领行业发展。其 CoolSiC产品系列电压范围覆盖 400 V 至 3.3 kV，广泛应用于汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等领域。如今，英飞凌又依托丰富的 SiC 业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS）领域的创新优势，推出了 SiC 沟槽型超结（TSJ）技术。
英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示，“TSJ 技术的推出极大地拓展了我们的 SiC 技术能力。沟槽栅结构与超结技术的融合，能够实现更高的效率和更紧凑的设计，这对于对性能和可靠性要求极高的应用场景而言至关重要。”
英飞凌正致力于通过 SiC TSJ 技术逐步扩充 CoolSiC产品组合。此次扩展涵盖了多种封装形式，包括分立器件、模塑和框架封装模块以及裸晶圆，能够满足汽车和工业领域广泛的应用需求。
首批基于该新技术的产品是适用于汽车牵引逆变器的英飞凌 ID - PAK 封装 1200 V 功率器件。该产品充分汲取了英飞凌在 SiC 及硅基超结技术（CoolMOS）领域 25 年多的经验，集沟槽栅技术与超结设计优势于一体。其可扩展封装平台支持最高 800 kW 功率，能实现高度灵活的系统配置。该技术的主要优势在于，通过将 RDS (on)*A 降低多达 40%，可获得更高的功率密度，从而在相同功率等级下实现更紧凑的设计。此外，ID - PAK 封装 1200 V SiC TSJ 功率器件能在不牺牲短路能力的前提下，将主逆变器电流承载能力提升多达 25%。
这一技术进步为对性能要求严苛的汽车和工业应用带来了整体系统性能的提升，包括更低的能耗和散热要求，以及更高的可靠性。同时，该系统还降低了并联要求，简化了设计流程并降低了整体系统成本。凭借这些创新优势，基于英飞凌 ID - PAK 封装的 SiC TSJ 功率器件将助力汽车应用领域设计出更高效、更具成本效益的牵引逆变器。
英飞凌科技汽车电子事业部总裁 Peter Schiefer 表示，“作为全球汽车半导体领域的领导者，英飞凌始终引领创新步伐，致力于构建汽车技术进步与可持续交通出行之间的桥梁。我们全新的基于沟槽栅结构的 SiC 超结技术能够提升效率并简化系统设计，为电动汽车动力传动系统带来更大的价值。”
现代汽车公司开发团队是英飞凌 TSJ 技术的首批客户之一，他们将充分利用这项技术的优势提升其电动汽车产品性能，助力开发出更高效、紧凑的电动汽车动力传动系统。
目前，首批 ID - PAK 封装 1200 V 功率器件样品已向部分汽车动力传动系统客户开放，预计 2027 年实现量产。
