英飞凌推出 CoolSiC MOSFET 750 G2 技术

　　英飞凌推出了其 CoolSiC MOSFET 750 V G2 技术，旨在提高汽车和工业电力转换应用中的系统效率和功率密度。
　　该技术提供了具有典型 R DS(on) 值高达 60 mΩ（25°C 时）的精细产品组合，适用于包括车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电动汽车（xEV）辅助设备以及电动汽车充电、太阳能逆变器、储能系统、电信和开关电源在内的广泛应用。

　　R DS(on) 值为 4 和 7 mΩ适用于静态切换应用，使 MOSFET 适用于如 eFuse、高压电池断开开关、固态电路断路器和固态继电器等应用。

　　Infineon 的顶面冷却 Q-DPAK 封装中集成了最佳的最低 R DS(on) 4 mΩ，该封装设计旨在提供最佳的热性能和可靠性。　

　该技术还表现出优秀的 R DS(on) x Q OSS 和最佳的 R DS(on) x Q fr ，在硬切换和软切换拓扑结构中均能减少开关损耗，并在硬切换用户案例中具有出色的效率。

　　通过减少栅极电荷，该技术允许更快的开关速度并减少栅极驱动损耗，使其在高频应用中更加高效。
　　此外，750 V G2 CoolSiC MOSFETs 提供 25°C 时 4.5 V 的高阈值电压 V GS(th),typ 和超低 Q GD /Q GS 比率，这增强了对寄生导通（PTO）的鲁棒性。
　　此外，该技术还提供了扩展的栅极驱动能力，支持高达 -7 V 的静态栅极电压和高达 -11 V 的瞬态栅极电压。这种增强的电压耐受性为工程师提供了更大的设计裕度和与其他市场设备的最佳兼容性。
　　CoolSiC 750 V G2 提供了符合 AEC Q101 标准的汽车级部件和符合 JEDEC 标准的工业级部件的开关性能、易于使用和可靠性。
　　这使得更高效、紧凑且成本效益更高的设计能够满足日益增长的市场需求，并强调了其在安全关键型汽车应用中对可靠性和持久性的承诺。