台积电将在美国生产 30% 的 2nm 及更先进芯片

　　台积电管理层在早前的财报电话会议上透露，该公司计划将其30%的N2（2纳米级）产量在美国生产，并将其位于亚利桑那州凤凰城附近的Fab 21工厂打造成为一个独立的半导体制造集群。这家全球最大的芯片代工厂还表示，有意加快建设新的Fab 21模块，以生产N3（3纳米级）、N2和A16（1.6纳米级）节点的芯片。
　　台积电首席执行官兼董事长魏哲家在事先准备好的发言稿中表示：“项目竣工后，我们约30%的2纳米及以上工艺产能将位于亚利桑那州，从而在美国打造一个独立的尖端半导体制造集群。这还将创造更大的规模经济效益，并有助于在美国构建更完善的半导体供应链生态系统。”
　　为了在亚利桑那州生产30%的N2和A16芯片，台积电将增建两个Fab 21模块。目前，该公司已确认计划在台湾新竹和高雄科学园区建设至少三个可生产N2和A16芯片的晶圆厂模块，并将投入更多模块，因此台湾仍将生产台积电先进芯片的大部分份额。然而，台积电30%的N2和A16芯片在美国生产无疑意义重大。
　　台积电位于亚利桑那州的Fab 21工厂1号模块目前正在为其美国客户量产采用N4和N5工艺的芯片。该公司位于亚利桑那州的第二座制造工厂——可支持N3工艺的Fab 21工厂2号模块已经完工，公司正努力提前开始设备安装，力争将该工厂的芯片量产时间从最初模糊的2028年计划提前至少几个季度。
　　Fab 21 的 3 号和 4 号模块（该公司将使用 N2 和 A16 节点的设施）预计将于今年晚些时候开工建设（前提是获得所有必要的许可）。台积电尚未公布这些 Fab 21 模块的建设时间表，但如果台积电按时采购所有必要的设备，那么可以合理地预期其中至少一个模块将在 2029 年初投入使用。
　　台积电的 Fab 21 模块 5 和模块 6 将使用 A16 以外的工艺技术（例如 A14 甚至更先进），但它们的建设时间表和产量提升将取决于未来客户的需求。
　　TSMS 对 Fab 21 的宏伟计划是将其发展成为一个 GigaFab 集群，生产能力至少为每月 100,000 片晶圆，但具体何时实现还有待观察。
　　魏哲家补充道：“我们的扩张计划将使台积电能够扩展到 GigaFab 集群，以支持我们在智能手机、人工智能和 HPC 应用领域的前沿客户的需求。”