CGD发布突破性100kW+技术，推动氮化鎵（GaN）进军超100亿美元电汽車连接器市场

　　無晶圓廠環保科技半導體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力 於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公佈了關於ICeGaN GaN 技術解決方案的詳情，該方案 將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，這一市場規模預計超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IGBT（絕緣柵雙極晶體管）集成在同一模組或智慧功率模組（IPM）中， 不僅實現了高效率，還提供一種更具有成本效益的替代方案，以取代昂貴的碳化矽（SiC）解決方案。

　　GIORGIA LONGOBARDI博士 |CGD創辦人兼首席執行長 “目前，電動汽車動力總成的逆變器主要面臨兩種選擇：一種是採用低成本的IGBT，但在輕負載條件下效率較 低; 另一種是使用效率極高但價格昂貴的碳化矽（SiC）器件。 我們全新的Combo ICeGaN解決方案通過智慧結 合氮化鎵（GaN）和矽技術的優勢，為電動汽車行業帶來革命性突破，在顯著降低成本的同時實現最高效率。 這將實現更快的充電速度和更長的續航里程。 我們已與多家頂級電動汽車製造商及其供應鏈合作夥伴緊密合 作，加速將這一技術創新推向市場。 ”
　　獨特的Combo ICeGaN技術解決方案充分利用了ICeGaN與IGBT器件在驅動電壓範圍（如 0-20V）和柵極耐受性方 面的相似性，使兩者能夠在並聯架構中高效協同工作。在实际運行中，ICeGaN開關在較低電流（輕負載）下表 現出較高的效率，具備低導通損耗和低開關損耗; 而IGBT則在較高電流（接近滿載或浪湧條件）時發揮主導作 用。Combo ICeGaN還結合了IGBT的高飽和電流和雪崩鉗位能力，以及ICeGaN 的高效開關特性，進一步提升了 整體性能。 在高溫環境下，IGBT的雙極特性使其能在較低的導通電壓下導通，從而有效彌補 ICeGaN 的電流 損失; 相反，在低溫條件下，ICeGaN將承擔更多的電流。這一方案通過智慧化的感測和保護功能，優化 了Combo ICeGaN的驅動方式，同時擴展了ICeGaN與IGBT設備的安全工作區域（SOA），確保系統的穩定性和可 靠性。
　　ICeGaN 技術使電動汽車工程師能夠在DC-DC轉換器、車載充電器（OBC）以及未來的牽引逆變器中充分利用GaN 技術的優勢。Combo ICeGaN進一步拓展了CGGaN技術應用範圍，進入功率超過 100kW的牽引逆變器市 場。ICeGaN IC已被驗證具備極高的可靠性，而IGBT在牽引系統和電動汽車應用中也有著長期且可靠的應用記 錄。此外，CGD還成功驗證了ICeGaN與SiC MOSFET並聯組合方案的可行性。在IEDM論文中詳細介紹的Combo ICeGaN方案無疑是更具成本效益的選擇。 CGD預計將在今年年底推出可運行的Combo ICeGaN演示版本，為電動 汽車動力系統提供更高效、更經濟的解決方案。
　　FLORIN UDREA教授 |CGD創始人兼首席技術長 “在功率器件領域工作了三十年，這是我第一次遇到如此完美互補的技術組合。ICeGaN在輕負載條件下表現出 極高的速度和卓越的性能，而IGBT在滿載、浪湧條件以及高溫環境下展現出顯著優勢。ICeGaN提供了高度集成 的片上智慧功能，而IGBT則具備雪崩能力為系統保駕護航。兩者均採用矽基底，這不僅顯著降低了成本，還充 分利用了基礎設施和製造工藝優勢。 ”
　　CGD將參展APEC（應用電力電子會議與博覽會）。如需瞭解更多關於Combo ICeGaN的詳細資訊，歡迎於2025年3 月16-20日蒞臨喬治亞世界會議中心（亞特蘭大喬治亞州）2039展位。