南芯科技推出内置MOS管的高集成度升降压充电芯片

　　南芯科技（证券代码：688484）宣布推出全集成同步双向升降压充电芯片 SC8911，该芯片配备 I2C 接口，专为常见的 2 串电池 30W 充电宝应用进行了效率优化，可有效降低外壳温升，为用户提供更安全、更高效的充电体验。SC8911 可支持 OTG 反向升压功能，兼容涓流充电、预充电、恒流充电、恒压充电、自动终止等多种模式，助力客户实现更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

　

　　集成MOS方案，兼具三大亮点
　　在传统升降压控制器搭配外置 MOS 的方案中，由于布板限制，PCB 走线往往过长，导致功率管驱动速率受限，从而影响整体效率。相比之下，SC8911 采用高度集成化的设计，集成了 3 路 NMOS 驱动，兼具高效率、低成本、小尺寸三大亮点。在紧凑型应用中，SC8911 还具备以下优势：
　　? 效率大幅提升。通过内置功率管，SC8911 能够实现 4V/ns 以上的更高的开关速率，从而显著降低开关损耗。经测试，SC8911 最高可实现 97.6% 的效率，即使在发热严重的恶劣工况下（如电池电压 6V、输出 20V/1.5A），系统效率仍可达到 93.5%，PCBA 温度仅 69℃，显著优于行业平均水平。
　　? PCB 布局更友好。内置功率管确保了足够小的驱动回路和功率回路路径，且在封装引脚设计上，也充分考虑了输入输出电容放置的便捷性。因此，SC8911 能够在保证高开关速度的同时，轻松应对 EMI 挑战。
　　? 散热性能卓越。SC8911 采用了 4mm*5mm QFN-27 Flip chip 倒装封装方式，IC 内部的功率损耗热量可以通过封装铜柱直接传导至 PCB，有效增强了芯片的散热能力。