TO-247中的600V24MΩ超连接MOSFET

　　东芝宣布了一个600V超级结MOSFET，在TO-247封装（20MΩTYP）中最大抗性为24MΩ。

　　东芝TK024N60Z1 600V MOSFET

　　典型的栅极电荷为37NC（400VD，10VG，80A），总门电荷（Gate-Source + Gate-Drain）为140nc。
　　内在二极管的反向恢复为8.5c和425ns，均为400V，40A，100A/S和VG = 0。
　　该公司表示：“ TK024N60Z1使用DTMOSVI 600V工艺实现低抗性和减少的传导损失。” “这使每单位面积的排水源抗性约为13％。更重要的是，与东芝的DTMOSIV-H产物相比，排水源的抗性时间栅极电荷降低了约52％。”
　　在数据中心服务器，工业设备和光伏电脑中预见了应用。
　　该公司具有用于电路功能验证的G0香料模型，以及包括瞬态特征的更准确的G2香料模型。