三星电子和 SK 海力士HBM市场的重大转变

　　三星电子和 SK 海力士正在为高带宽内存 (HBM) 市场的重大转变做好准备。去年年底，在全球无晶圆厂公司 Marvell 在美国举办的分析师活动上，三星电子执行董事 Kim In-dong 和 SK Hynix 副总裁 Kang Sun-kook 分享了他们对定制化未来的愿景HBM 技术。
　　三星电子和 SK 海力士预测，定制 HBM 市场将在 2027 年之后全面开放。这一消息发布之际，业界发现定制解决方案比标准产品越来越受青睐。“第八代 HBM (HBM5) 的标准尚未制定，”Kang 表示。“到明年年底，第六代HBM标准产品将占据主导地位，从2027年开始，定制HBM的生产将正式开始。”
　　HBM 技术涉及垂直堆叠多个 DRAM 芯片，与传统 DRAM 模块相比，可提供更快的数据传输速度和更大的存储容量。这使得它特别适合高性能计算应用程序，例如涉及 GPU 的计算应用程序。随着AI市场从学习阶段发展到推理阶段，对更专业、更高效的硬件（包括定制HBM解决方案）的需求不断增加。
　　Kim 强调需要结合封装、存储器和逻辑半导体的先进技术。“到 2029 年，定制 HBM 市场预计将扩大到 380 亿美元（约 55 万亿韩元），”他指出。该预测强调了半导体技术进步的重大经济影响。
　　三星电子和 SK 海力士都在考虑各种形式的定制 HBM，包括修改基础芯片以满足客户要求。三星电子已经开始在自己的4纳米代工厂内部生产第6代HBM的基础芯片，而SK海力士正准备与台积电合作大规模生产第6代HBM的基础芯片。
　　Marvell 高级副总裁兼定制、计算和存储事业部总经理 Will Chu 强调了对定制解决方案日益增长的需求。“由于所有客户都希望获得适合其基础设施的半导体，因此对定制 HBM 的需求正在增加，”他说。这一趋势在定制 AI 芯片的开发中很明显，并且现在已扩展到 HBM 等内存技术。
　　三星电子和 SK 海力士的宣布标志着半导体行业的关键时刻。随着定制 HBM 市场的扩大，这些公司将自己定位在技术创新的前沿，准备满足高性能计算和人工智能应用不断变化的需求。定制 HBM 时代即将正式开始，有望为各种应用提高效率和性能。
　　三星HBM 4，计划有变
　　过去几年，三星因高带宽内存 ( HBM ) 芯片问题而损失了数十亿美元的收入。该公司现在正计划纠正这一问题。这家韩国公司计划在今年上半年 完成HBM4芯片的开发。
　　据韩国消息人士透露，三星内部已定下目标，计划在上半年内完成HBM4芯片的生产准备批准（PRA）程序，PRA是量产的第一步，一旦实现PRA，芯片将符合三星内部的量产标准。
　　这一时间表比三星早先计划在今年年底实现 PRA 的时间提前了六个月。该公司还计划在今年上半年为 Nvidia 和其他客户量产第五代 HBM (HBM3E)。然而，这些计划似乎已经改变。
　　据悉，Nvidia影响了三星提前准备 HBM4 生产的决定，因为三星计划在今年第三季度发布其下一代 AI 加速器（代号 Rubin）。Nvidia 最初的计划是在 2026 年初推出 Rubin 芯片。据报道，每个Rubin AI加速器芯片都配备了四块HBM4内存芯片。
　　当 Nvidia 准备推出 Rubin 芯片时，三星在内存芯片领域的本土（也是最大的）竞争对手SK Hynix似乎也准备推出 HBM4 芯片。据报道，Nvidia 首席执行官 Jensen Huang 于 2024 年 11 月会见了 SK 集团董事长崔泰源，并要求加快 HBM4 芯片的开发。
　　崔泰源在 2025 年 CES 上透露，SK 海力士的 HBM4 开发速度略高于 Nvidia 的预期。这表明 SK 海力士在 HBM4 芯片开发方面取得了长足进步。这可能再次对三星不利，因为三星在内存领域落后于竞争对手，而内存领域曾被认为是三星的强项。
　　据悉，三星计划在其 HBM4 芯片中使用 10nm 第六代 (1c) DRAM。三星在 2024 年 10 月首次确保了良率（所有制造的芯片中可认证芯片的比例），目前正努力进一步提高良率。三星必须实现足够的产量，并且 HBM4 芯片不会出现任何发热或性能问题。如果该公司在 HBM4 上取得成功，那么该公司的前景将非常乐观。