瑞萨开发新 MOSFET 工艺

　　瑞萨电子推出了 100V 高功率 N 沟道 MOSFET，声称能够提供业界领先的高电流开关性能。
　　瑞萨电子开发了一种新的 MOSFET 晶圆制造工艺 (REXFET-1)，使新器件的导通电阻降低 30%。
　　瑞萨开发新 MOSFET 工艺
　　REXFET-1 工艺还使新型 MOSFET 的 Qg 特性（向栅极施加电压所需的电荷量）降低了 10%，Qgd（需要注入的电荷量）降低了 40%。在“米勒高原”阶段进入大门）。
　　这些器件采用行业标准 TOLL 和 TOLG 封装，与其他制造商的器件引脚兼容，并且比传统 TO-263 封装小 50%。 TOLL 套件还提供用于光学检测的可润湿侧面。