美光科技投资 70 亿美元兴建 HBM 组装工厂

　　美光科技已开始在新加坡建造耗资数十亿美元的高带宽内存 (HBM) 封装工厂。该公司将在该工厂投资 70 亿美元，因为预计未来几年随着人工智能的蓬勃发展，对 HBM3E、HBM4 和 HBM4E 内存的需求将猛增。该设施预计于 2026 年开始运营。
　　美光的高带宽内存 (HBM) 封装工厂位于美光现有的新加坡工厂旁边，该工厂生产 3D NAND 和 DRAM。新的 HBM 装配厂将于 2026 年开始生产，然后计划在 2027 年大幅提高产能。该工厂将使用先进的人工智能驱动的自动化来提高运营效率，但该公司没有透露人工智能将在何处以及如何使用。
　　虽然美光凭借优质 HBM3E 内存引领行业，但就 HBM 市场份额而言，与三星和 SK 海力士相比，该公司仍处于劣势。在某种程度上，这是由于美光科技没有韩国竞争对手那样庞大的 DRAM 制造能力（而 HBM 内存芯片比传统内存 IC 占用更多的产能）。不过，在某种程度上，这可以归因于缺乏庞大的 HBM 组装能力。
　　美光正在逐步增加现有工厂的 HBM3E 产量，希望在 2025 年中期占据 20% 左右的 HBM 市场份额。然而，随着新的新加坡组装工厂将于 2026 年投入使用，该公司希望获得更大的市场份额。