美光科技通过台中新工厂扩大 HBM 产能

　　美光科技最近在台湾台中开设了一个新的办公空间，可容纳 500 名员工。此前，美光科技于 8 月收购了台湾显示器制造商友达光电 (AUO) 的台中工厂，该工厂目前正在改建为 DRAM 生产基地。
　　美光的战略扩张旨在大幅提升其高带宽内存（HBM）产能。该公司计划到明年年底将目前每月 20,000 片晶圆的产量增加两倍至 60,000 片。这一雄心勃勃的目标是美光科技利用台中新开设的办公大楼增强其先进 DRAM 开发能力的更广泛战略的一部分。
　　为了保持半导体技术的领先地位，美光将从明年开始在其第六代 10 纳米 DRAM 的设计中开始应用极紫外 (EUV) 光刻设备。这项先进技术将使美光能够在硅晶圆上创建更精细、更精确的图案，这对于生产高性能内存解决方案至关重要。

　　美光科技首席执行官 Sanjay Mehrotra 在今年第三季度财报电话会议上表达了对该公司增长轨迹的信心。 Mehrotra 表示：“我们的目标是明年将 HBM 市场份额提高到 20% 以上。”他强调了该公司积极的扩张计划。目前，美光的HBM产能预计到今年年底将达到20,000片晶圆左右，目标是到明年年底将月产量提高到60,000片晶圆。

　　该公司的扩张力度不仅限于台中工厂。美光还提高了台中 A3 工厂和台湾桃园第 11 工厂的 HBM 产能。最近投入使用的办公楼中，很大一部分新员工将专注于与 HBM 所需的先进封装技术相关的研究。
　　半导体行业竞争格局愈演愈烈，三星电子、SK海力士等国内企业也加速HBM扩产。三星电子计划在今年年底前将其 HBM 产能提高至每月 14 万至 15 万片晶圆，并在明年年底前进一步提高至每月 17 万至 20 万片晶圆。同样，SK海力士的目标是到明年实现每月14万片晶圆的HBM产能。
　　一位业内人士评论美光积极的招聘策略时表示，“虽然三星电子等公司最近放缓了脚步，但美光一直为国内人才提供特殊的条件，继续其积极的招聘策略。”业内人士补充道，“随着AI内存时代的到来，美光正在蓄势待发，发起积极进攻。”