消息称俄罗斯公布了开发自己的光刻机的路线图

　　据CNews报道，俄罗斯公布了开发自己的光刻机的路线图，旨在制造比 ASML 系统成本更低、更复杂的设备 。这些机器将使用波长为 11.2 纳米的激光器，而不是 ASML 使用的标准 13.5 纳米。该波长将与现有的 EUV 基础设施不兼容，并要求俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可能需要数年时间，甚至十年或更长时间。
　　俄罗斯半导体计划由俄罗斯科学院微结构物理研究所的 Nikolay Chkhalo 领导。该计划旨在制造具有竞争性性能的 EUV 机器，与 ASML 的 EUV 工具相比，同时降低制造和运营费用。
　　与 ASML 的 EUV 光刻系统不同，俄罗斯 EUV 扫描仪将使用波长 11.2 nm 的氙基激光源，而不是 ASML 的锡基系统。 Chkhalo 表示，11.2nm 波长的分辨率提高了 20%，可以呈现更精细的细节，同时简化设计并降低光学元件的成本。这种调整显着减少了光学元件的污染，延长了收集器和保护膜等关键部件的使用寿命。该设计还允许使用硅基光刻胶，预计其在较短波长下表现更好。
　　俄罗斯光刻机的性能将不如 ASML 的强大，由于使用 3.6 kW 光源，吞吐量大约低 2.7 倍。然而，这种性能对于小规模生产来说已经足够了。