ROHM 与台积电合作开发 GaN

时间:2024-12-12
  ROHM 和台积电已就电动汽车应用 GaN 功率器件的开发和量产达成战略合作伙伴关系。
  此次合作将罗姆的器件开发技术与台积电的硅基氮化镓工艺技术相结合,以满足功率器件对优于硅的高压和高频特性日益增长的需求。
  GaN功率器件目前用于消费和工业应用,例如交流适配器和服务器电源。
  台积电支持 GaN 技术,因为它在汽车应用中具有潜在的环境效益,例如电动汽车 (EV) 的车载充电器和逆变器。
  此次合作建立在罗姆和台积电在 GaN 功率器件领域的合作历史之上。 2023年,罗姆采用了台积电的650V GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),该工艺作为罗姆EcoGaN系列的一部分,越来越多地应用于消费和工业设备,包括罗姆生产的45W交流适配器(快速充电器)“C4 Duo” Innergie,台达电子旗下品牌,
  “通过提供用户友好的 GaN 解决方案,其中包括控制 IC,以最大限度地提高 GaN 性能,我们的目标是促进 GaN 在汽车行业的采用,”ROHM 的 Katsumi Azuma 说道。
  台积电的 Chien-Hsin Lee 表示:“通过将台积电在半导体制造方面的专业知识与 ROHM 在功率器件设计方面的专业知识相结合,我们努力突破 GaN 技术及其在电动汽车中的应用的界限。”
  
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