三星准备推出具有 400 多个层的第 10 代 V-NAND

　　三星尚未在零售市场推出全脂 PCIe 5.0 固态硬盘 - 我们并没有真正计算 PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4 990 Evo和990 Evo Plus - 但它正在准备闪存，该闪存将能够供电仅支持最快的 PCIe 5.0 SSD，但也可以支持下一代 PCIe 6.0 驱动器。新型 4xx 层 3D NAND 器件的接口速度将达到 5.6 GT/s，并将在即将召开的国际固态电路会议 (ISSCC)上亮相 。
　　三星超高速第 10 代 V-NAND 内存保留了 TLC（三级单元，或每单元三位）架构，每个芯片的容量为 1Tb (128 GB)。三星声称其新型 4xx 层 3D TLC NAND 的存储密度为 28 Gb/mm?。这仅略低于三星的 1Tb 3D QLC V-NAND，后者的存储密度为 28.5 Gb/mm?，是目前世界上密度最高的非易失性存储器。
　　当前的 NAND 芯片通常每个封装有 8 个或 16 个 NAND 芯片。这意味着 16 芯片封装将提供高达 2TB 的存储空间，单面 SSD 上的四个此类封装将提供 8TB 的存储空间，或者在双面 M.2 2280 驱动器上高达 16TB 的存储空间。 （请注意，三星已经很长一段时间没有推出新的双面 SSD，而是选择坚持单面设计。）
　　可以说，三星第 10 代 V-NAND 最重要的特点是它的接口速度：5.6 GT/ s，明显快于长江存储 Xtacking 架构内存的 3.6 GT/s。在 5.6 GT/s 下，这相当于大约 700 MB/s，这意味着 10 个这样的设备可以使 PCIe 4.0 x4 接口饱和，而 20 个就足以使超高速 PCIe 5.0 x4 接口饱和。这就是世界上 最好的 SSD中最快的选项的动力。两个 NAND 封装中可能包含多达 32 个芯片，这已经是达到 PCIe 6.0 x4 接口最大吞吐量的一半了。
　　三星计划在 ISSCC 2025 上推出其第 10 代 V-NAND 存储器，并且有理由预计该公司也将于明年开始批量生产这种非易失性存储器。不幸的是，目前尚不清楚新内存何时会应用到三星自己的 SSD 中。通常，新的 NAND 解决方案可用于各种零售产品，包括 USB 驱动器、存储卡、SSD、智能手机等。