海力士推出321层NAND

　　海力士已开始量产全球首款 321 层 NAND，这是一种容量为 1Tb 的三层单元 4D 存储器。
　　继去年6月推出238层NAND之后，海力士通过堆叠技术的突破，成为全球首家超过300层的tNAND供应商。
　　321 层器件的写入时间缩短了 12%，读取时间缩短了 13%。与238层器件相比。
　　该公司计划从明年上半年开始向客户提供321层产品。
　　随着公司成功采用“三塞”工艺技术，堆叠超过300层成为现实。
　　该工艺在3次插塞工序完成后，通过优化的后续工序将3个插塞连接起来。对于这一过程，海力士开发了一种低应力材料，同时引入了自动校正插头之间对齐的技术。
　　通过在 321 高产品上采用与 238 高 NAND 相同的开发平台，该公司还可以通过最大限度地减少工艺切换的影响，与上一代产品相比，将生产率提高 59%。