东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET

　　东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品，供客户评估。

　　当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电时，其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通过在MOSFET中嵌入SBD（肖特基势垒二极管）以弱化体二极管工作的器件结构来缓解上述问题，但如若将SBD布置在芯片上，会减少为通道提供的板面积，板面积不仅可决定MOSFET导通工作的电阻，而且还可增加芯片的导通电阻。
　　X5M007E120中嵌入的SBD采用格纹形态排列，没有采用常用的条形形态，这种排列可高效抑制器件体二极管的双极通电，而且即便占用相同的SBD挂载面积，也能将单极工作的上限提升到大约两倍的当前面积。此外，也可针对条形阵列提高通道密度，而且单位面积的导通电阻很低，大约降低了20 %至30 %[5]。这一提高的性能、低导通电阻以及针对反向导通工作保持的可靠性，可节省用于电机控制的逆变器的电能，例如牵引逆变器。