这些隔离模块具有多个输入范围,涵盖 8.5 V 至 27 VDC 的 12 V、15 V 和 24 VDC 标称输入电压,额定功率高达 2.5 W,具体取决于所选型号和温度范围。每个产品都具有两个完全稳压的输出电压,用户可根据需求设置为不对称的正负电压,或单一的正负电压,以满足 IGBT、Si 和 SiC MOSFET 以及 GaN 共源共栅 HEMT 单元对各种栅极驱动电压的要求。例如,产品型号为 R12C2T25/R 的模块可在 9-18 VDC 输入电压下工作,并可编程为 +18 V/-5 V 输出以适合 SiC MOSFET 的要求。工作温度范围为 -40°C 至 100°C,降额取决于具体型号。该系列的隔离额定值为 5 kVAC/1 min 的加强型隔离,工作电压为 1.4 kVDC,具有低于 3.5 pF 的低隔离电容, 高 dV/dt ,CMTI 抗扰度高达150 kV/μs。
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