Vishay 扩展了 SO-6 封装,以适应基于光电的 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器的 1kV 操作。
Vishay 延伸 SO6 封装
主体从一端到另一端约为 7mm,爬电距离为 8mm。
对于具有传统弯曲腿的“选项 9”封装,间隙为 7 毫米;对于具有宽张腿的“选项 8”封装,间隙为 8 毫米(见图)。
宽幅部分 (DIN EN 60747-5-5) 的峰值工作电压为 1.14kV,少幅“选项 9”版本的峰值工作电压为 891Vpeak。
抗噪声能力为 50kV/μs。
Vishay 光电栅极驱动器模块
在内部,隔离驱动器的输入端有一个 AlGaAs LED,光电二极管还有一个放大器输出 - 次级侧电源需要 15 至 30V(最大 3mA)。
上升沿和下降沿传播延迟相同,在 50 到 200 纳秒之间。上升和下降时间通常为 35ns,带失真的脉冲通常为 10ns,但最高可达 70ns,
有两个版本(每个版本都有两个腿弯)
VOFD341A,驱动电流为 2.5 至 3A
VOFD343A,驱动电流为 3 至 4A
两者的工作温度范围为 -40 至 +125°C。
该公司表示:“这些光耦合器适用于太阳能逆变器和微型逆变器、交流和无刷直流工业电机控制逆变器,以及不间断电源中用于交流-直流转换的逆变器级。” “这些器件非常适合直接驱动额定值高达 1,200V 100A 的 IGBT。”
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