Littelfuse 推出业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

　　Lttelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。与传统的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的开关速度更快、效率更高，因此越来越受到欢迎，对稳健栅极保护的需求也越来越大。SMFA非对称系列提供了一种创新的单元件解决方案，在简化设计的同时显著提高了电路的可靠性。
　　SMFA非对称系列是市场上唯一一款专为SiC MOSFET的独特栅极保护要求而设计的瞬态抑制二极管。与需要多个齐纳二极管或瞬态抑制二极管的传统解决方案不同，SMFA系列使用单个元件有效防止栅极驱动电路中的振铃和过冲现象，可节省宝贵的PCB空间并降低电路设计的复杂性。
　　SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管具有以下主要功能与特色：
　　非对称设计：SMFA系列专为SiC MOSFET的特定正负栅极电压额定值定制，确保精确可靠的保护；
　　单一元件解决方案：取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管，减少元件数量，简化电路布局；
　　 空间效率：通过将多种保护功能组合到一个元件中，SMFA系列最大限度地减少了PCB空间的使用，实现更紧凑和有效的设计；
　　 兼容性：SMFA非对称系列兼容所有可用的Littelfuse和其他领先的SiC MOSFET，使其成为各种应用的通用解决方案。
　　“SMFA非对称瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案，可轻松取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管，从而保护宝贵的SiC MOSFET免受栅极故障影响。”Littelfuse产品营销总监Ben Huang表示， “这种独特的解决方案还节省了宝贵的PCB空间，同时减少了所需的元件数量。”
　　SMFA非对称系列非常适合使用SiC MOSFET的各种高要求应用，包括：
　　 AI/数据中心服务器电源：提高高性能计算环境中关键电源的可靠性和效率；
　　高效电动汽车基础设施（EVI）电力系统：为电动汽车充电站和相关电力系统提供强大的栅极保护，确保使用寿命和性能；
　　高可靠性半导体/工业设备电源：在可靠性和正常运行时间至关重要的工业和半导体制造环境中保护重要的电源。