三星开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM

　　新款GDDR7提供了业界出众的容量和超过40Gbps的速度，极大提升了图形DRAM的性能，为未来应用注入强劲动力
　　今年将携手主要GPU客户进行验证，并计划于明年年初投入生产
　　三星电子今日宣布，已成功开发出其首款24Gb GDDR7[1] DRAM（第七代图形双倍数据传输率存储器）。GDDR7具备非常高的容量和极快的速率，这使得它成为众多下一代应用程序的理想选择之一。

　　三星半导体
　　凭借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7将广泛应用于需要高性能存储解决方案的各个领域，例如数据中心和人工智能工作站，这将进一步扩展图形 DRAM 在显卡、游戏机和自动驾驶等传统应用领域之外的应用范围。
　　三星电子存储器产品企划团队执行副总裁裴永哲（Bae YongCheol）表示："继去年开发出三星首款16Gb GDDR7后，三星凭借此次最新研发成果，进一步巩固了其在图形DRAM市场的技术前沿优势。我们将持续推出新一代产品，以满足人工智能市场不断增长的需求，引领图形DRAM市场发展。
　　采用的是第五代10纳米级DRAM制程技术。这使得GDDR7可在保持与前代产品相同封装尺寸的情况下，将单元密度提高50%。
　　除了采用先进的工艺节点外，GDDR7还使用了脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到业界前沿的40Gbps，与前代产品相比提高了25%。根据使用环境的不同，GDDR7的性能可以进一步提升至最高42.5Gbps。
　　同时，将原先应用于移动产品的技术首次应用于图形DRAM，GDDR7实现了能效的显著提高。通过采用包括"时钟控制管理[2]"和"双电压（VDD）设计[3]"等方法，可以大幅降低不必要的功耗，进而实现超过30%的能效提升。
　　为了确保在高速运行时依然具备卓越的稳定性，24Gb GDDR7采用了电源门控设计，尽可能地降低电流泄漏。
　　今年，三星将携手主要GPU客户，在下一代人工智能计算系统中对24Gb GDDR7进行验证，并计划于明年年初实现该技术的商业化。
　　第七代图形双倍数据速率，一种专门为图形处理等高带宽、高性能应用设计的显存。
　　时钟控制管理: 指动态调节芯片内部时钟信号的技术。通过降低或禁用芯片中未使用部分的运行速度，可以优化功耗。
　　双电压 (VDD) 设计: 一种电源管理技术，指芯片的不同部分采用不同的电压水平工作。这种技术可以在不需要最高电压的区域降低功耗。