SK海力士率先量产12层堆叠HBM3E

时间:2024-09-29
  将在年内向客户供应最高性能、最大容量的12层HBM3E
  · 与上一代相较单一DRAM芯片薄40%,维持相同的整体厚度的同时,其容量却提高了50%
  · “将以压倒性的产品性能和竞争力延续HBM的成功故事”

  SK海力士宣布,公司全球率先开始量产12层HBM3E新品,实现了现有HBM*产品中最大*的36GB(千兆字节)容量。

  公司将在年内向客户提供产品,继今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E后,仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。
  SK海力士强调:
  自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E), 公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品,不仅满足了人工智能企业日益发展的需求,同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。
  公司又表示,12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。
  SK海力士将此新产品的运行速度提高至现有内存的最高速度9.6Gbps,其是在以搭载四个HBM的单个GPU运行大型语言模型(LLM)“Llama 3 70B*”时,每秒可读取35次700亿个整体参数的水平。
  公司还堆叠12颗3GB DRAM芯片,实现与现有的8层产品相同的厚度,同时容量提升50%。为此,公司将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%,并采用硅通孔技术*(TSV)技术垂直堆叠。
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