SK海力士开发出业界首款1c DDR5

　　SK海力士8月29日宣布，已开发出业界首款采用其1c节点（10nm工艺的第六代）制造的16Gb DDR5。
　　这一成功标志着存储器制程技术开始极限微缩至接近10纳米的水平。
　　10nm级DRAM技术的微缩工艺不断推进，难度不断增加，但SK海力士凭借业界领先的第五代10nm工艺1b技术，在业界首次提高设计完成度，突破技术限制。
　　SK海力士表示，将在年内准备好量产1c DDR5，并于明年开始批量出货。
　　为了减少工艺推进过程中可能出现的错误，并以最有效的方式转移被誉为性能最佳的DRAM的1b的优势，该公司将1b DRAM的平台扩展用于1c的开发。
　　新产品在极紫外（EUV）光刻工艺中采用新材料，同时优化了EUV光刻的整体应用工艺，与上一代产品相比，成本竞争力有所提升。SK海力士还通过设计方面的技术创新，将生产效率提高了30%以上。
　　预计将用于高性能数据中心的 1c DDR5 的运行速度比上一代提高了 11%，达到 8Gbps。由于功率效率也提高了 9% 以上，SK 海力士预计，在 AI 时代的发展导致功耗增加的背景下，采用 1c DRAM 将有助于数据中心将电力成本降低多达 30%。
　　DRAM 开发负责人金钟焕表示：“我们致力于将具有最佳性能和成本竞争力的 1c 技术应用于我们的主要下一代产品（包括 HBM1、LPDDR62 和 GDDR73），为客户提供差异化??价值。”“我们将继续努力保持在 DRAM 领域的领先地位，并成为最值得信赖的 AI 内存解决方案提供商。”