三星或将于 2024 年底开始安装其首款高 NA EUV 光刻工具

　　据《首尔经济日报》援引消息人士称，三星将于 2024 年第四季度至 2025 年第一季度开始安装其首台数值孔径 (High-NA) 为 0.55 的 EUV 光刻工具。  该设备将主要用于研发目的，因为该公司正在开发下一代工艺技术，这些技术需要由 High-NA EUV 工具实现的分辨率。三星还与 Lasertec、JSR、Tokyo Electron 和 Synopsys 合作开发 High-NA 生态系统。
　　三星的第一台 ASML Twinscan EXE:5000 高 NA 光刻系统将安装在该公司的华城园区，该公司将在那里开发其下一代逻辑和 DRAM 制造技术。该部门预计将于 2025 年中期投入运营。因此，三星的第一台高 NA EUV 工具的投入使用时间将比英特尔晚一年左右，但仍将领先于其竞争对手台积电和 SK 海力士。三星何时采用高 NA EUV 进行大规模生产还有待观察，但预计要到本世纪下半叶。
　　三星计划围绕高 NA EUV 技术开发一个强大的生态系统。除了收购高 NA EUV 光刻设备外，三星还与日本 Lasertec 合作开发专门用于高 NA 光罩的检测设备。据DigiTimes 报道，三星据称已购买了 Lasertec 的高 NA EUV 掩模检测工具 Actis A300。