纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs

　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。

　　纳微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功将高功率能力和行业最佳的低导通电阻（20至55mΩ）相结合，并针对如AI数据中心电源、电动汽车充电和储能以及太阳能解决方案等应用所需的最快开关速度、最高效率和更高功率密度特性进行了专项优化。
　　纳微GeneSiC碳化硅产品基于专有的“沟槽辅助平面栅”技术打造，可在运行温度范围内能提供了全球顶尖的效率性能，G3F MOSFETs具备高速、运行温升低的性能，相比市场上其他厂商的碳化硅产品，可使器件的外壳温度降低高达25°C并且寿命长3倍。
　　纳微最新发布的4.5kW高功率密度AI服务器电源参考设计，其采用了型号为G3F45MT60L（额定电压为650V、40mΩ，TOLL封装）的GeneSiC G3F FETs，用于交错CCM TP PFC拓扑上。与LLC上使用型号为NV6515（额定电压650V，35mΩ，TOLL封装）的GaNSafe?氮化镓功率芯片搭配，使这款电源以137W/inch?的功率密度和超过97%的峰值效率，成为全球功率密度最高的AI服务器电源。同样，在400V的电动汽车电池系统中，TOLL封装的G3F MOSFETs是车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及6.6kW-22kW牵引电机的理想之选。
　　相较于传统的D2PAK-7L封装，表贴TOLL封装的结壳电阻（RTH,J-C）要低9%，PCB占位面积也要小30%，厚度低50%并且整体尺寸少60%，有利于打造最高功率密度的解决方案，如纳微的4.5kW高功率密度AI服务器电源。此外，由于其具备仅为2nH的最小封装电感，可实现卓越的高速开关性能和最低的动态损耗。