三星和 SK 海力士仍对 NAND 生产持谨慎态度

　　受人工智能 (AI) 快速发展推动的半导体超级周期已经开始，但预期的 NAND 闪存产量激增尚未实现。与 DRAM 不同，由于数据中心以外的智能手机和个人电脑等消费产品需求疲软，内存公司在增加 NAND 闪存产量方面表现出克制。专家预测，除非设备上 AI 设备的替换需求大幅上升，并且经济环境刺激消费，否则 NAND 市场的整体复苏仍将有限。
　　8月11日，业内消息人士透露，三星电子和SK海力士在第二季度NAND产能增加方面均呈现被动趋势。三星电子的NAND位增长率与去年第一季度相比下降了中个位数（4-6％），而SK海力士的NAND位增长率同期下降了低个位数（1-3％）。
　　位增长是描述存储器半导体整体增长率的术语，通过将存储器容量转换为信息的最小单位位来计算。这种方法可以避免使用数量作为基础时可能出现的失真，因为它反映了容量在存储器产品中的重要性。
　　与 NAND 形成鲜明对比的是，两家公司的 DRAM 比特率在第二季度均有所增长。与上一季度相比，三星电子实现了中等个位数（4-6%）的增长，而 SK 海力士则实现了超过 20% 的大幅增长。SK 海力士在高带宽内存 (HBM) 市场的领导地位以及三星电子通过 DDR5 和 GDDR 产品满足 AI 需求，推动了这一增长。
　　NAND与DRAM增速差距的原因在于，尽管AI服务器需求旺盛，但智能手机和PC对NAND产品的需求却不旺盛。此外，NAND制造商数量超过DRAM，目前只有5-6家，导致市场库存量相当可观。业界预测，下半年NAND位元增速将继续下滑。
　　专家认为，如果对 AI 手机和 AI PC 等设备上 AI 设备的替换需求增加，NAND 复苏将在服务器以外的应用中加速。尽管 Galaxy S24 等 AI 智能手机和一些 AI PC 已经发布，但设备上 AI 市场尚未完全打开。
　　一位业内人士表示：“三星电子今年第二季度的 NAND 容量增长与去年第一季度相比下降了中个位数（4-6%）。”另一位消息人士补充道：“SK 海力士第二季度的 NAND 容量增长也与上一季度相比下降了低个位数（1-3%）。”
　　半导体超级周期的特点是技术进步推动需求和投资增加，目前受到人工智能对科技行业的影响。人工智能应用需要大量的计算能力和存储空间，影响着半导体市场。主要用于消费电子产品和数据中心的 NAND 闪存的增长速度不如用于计算过程中临时数据存储的 DRAM。
　　消费电子市场的现状，尤其是智能手机和个人电脑的需求趋势，对 NAND 闪存的需求起着至关重要的作用。经济状况也显著影响着消费者支出和电子产品需求。设备上 AI 技术的出现，例如支持 AI 的智能手机和个人电脑，为未来 NAND 闪存的需求提供了潜力。
　　三星电子和 SK 海力士等半导体行业的主要参与者继续在内存技术方面进行创新。高带宽内存 (HBM)、DDR5 和 GDDR 等内存产品的最新进展正在推动 AI 服务器等特定领域的需求。半导体行业的历史趋势（包括之前的繁荣与萧条周期）为当前市场状况和未来预测提供了背景。