80 和 100V MOSFET，采用 5×6 和 8×8 LFPAK 封装

　　Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。
　　该公司表示：“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时，专注于通过低Qg（总）和低Qgd来实现高效率。然而，Nexperia认为Qrr同样重要，因为它会影响尖峰效应，进而影响器件切换过程中产生的电磁干扰（EMI）量。
　　它没有给出这些参数的数据，因此，随机选择8 x 8mm、80V、2.3mΩ、240A、n沟道PSMN2R3-80SSF，数据手册的数字是：
　　Qg（总计） 61 – 184nC （123nC 典型值） – 25Ad， 40Vd， 10Vg， 25°C
　　Qgd：7 – 51nC（典型值为 22nC） – 相同
　　Qr：47nC 典型值（无最大值/最小值）– 25As、-100A/μs、0Vg、40Vd、25°C